Alliance Memory выпустил новые микросхемы Parallel NOR Flash на 5 В

08.11.2019 10:53

Производитель Alliance Memory анонсировал выпуск линейки микросхем с параллельным интерфейсом и напряжением 5 В — Parallel NOR Flash.

Микросхемы доступны с плотностью от 1 Мбит до 16 Мбит. Время доступа составляет 55 нс, что позволяет обеспечивать высокую скорость чтения с малой задержкой.

Ключевые характеристики Parallel NOR Flash:

плотность: от 1 до 16 Мбит
напряжение: 5 В
температурный диапазон: от −40 до + 85 °C
активный ток считывания: 20 мА
ток программирования/стирания: 30 мА
потребление в режиме ожидания: 1 мкА
корпуса: 32-pin PLCC и 48-pin TSOP
бессвинцовое исполнение и соответствие RoHS 2.0

Микросхемы семейства Parallel NOR Flash от Alliance memory:

Наименование	Плотность	Конфигурация	Напряжение	Корпус
AS29CF010-55CCIN	1 Мбит	128 Kx8	5 В	32-pin PLCC
AS29CF040-55CCIN	4 Мбит	512 Kx8	5 В	32-pin PLCC
AS29CF800T-55TIN	8 Мбит	1 Mx8/512 Kx16	5 В	48-pin TSOP I
AS29CF800B-55TIN	8 Мбит	1 Mx8/512 Kx16	5 В	48-pin TSOP I
AS29CF160T-55TIN	16 Мбит	2 Mx8/1 Mx16	5 В	48-pin TSOP I
AS29CF160B-55TIN	16 Мбит	2 Mx8/1 Mx16	5 В	48-pin TSOP I

Гибкая секторная архитектура микросхем позволяет стирать и перепрограммировать любую комбинацию секторов, не влияя на содержимое других секторов благодаря функции аппаратной защиты, предотвращающей непреднамеренное выполнение программы или удаления.

Выпускаемые Alliance Memory микросхемы Parallel NOR Flash имеют минимум 100 000 циклов чтения/записи на сектор и обеспечивают хранение данных в течение 20 лет при температуре +125 °C. Микросхемы идеально подходят для применения в промышленной робототехнике, медицинской электронике, высокопроизводительных приложениях, таких как: цифровые фотокамеры (DSC и DSLR), телевизионные приставки (STB), автомобильные информационно-развлекательные системы.

Образцы микросхем Parallel NOR Flash от Alliance Мemory доступны уже сегодня заказчикам по всему миру, в том числе и в России.

Источник